제조업체 제품 번호:
BSP295E6327
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSP295E6327-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
상세 설명:
N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
재고:
13063859
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제출
BSP295E6327 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.8V @ 400µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
368 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT223-4
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSP295INCT
BSP295INTR
BSP295
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
ZXMN6A11GTA
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
1669
부품 번호
ZXMN6A11GTA-DG
단가
0.22
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BSP295H6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
943
부품 번호
BSP295H6327XTSA1-DG
단가
0.31
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
IRLL014TRPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
15748
부품 번호
IRLL014TRPBF-DG
단가
0.29
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PJW4N06A_R2_00001
제조사
Panjit International Inc.
구매 가능 수량
5940
부품 번호
PJW4N06A_R2_00001-DG
단가
0.09
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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