BSP296L6327HTSA1
제조업체 제품 번호:

BSP296L6327HTSA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSP296L6327HTSA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
상세 설명:
N-Channel 100 V 1.1A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

재고:

12798892
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제출

BSP296L6327HTSA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.8V @ 400µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
364 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.79W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT223-4
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSP296XTINCT
BSP296 L6327-DG
BSP296L6327INTR-NDR
BSP296XTINCT-DG
INFINFBSP296L6327HTSA1
BSP296XTINTR
BSP296L6327HTSA1CT
BSP296L6327INTR
BSP296L6327HTSA1TR
BSP296L6327INCT-DG
BSP296L6327INDKR-NDR
BSP296XTINTR-DG
BSP296 L6327
BSP296L6327INCT
BSP296L6327HTSA1DKR
BSP296L6327INTR-DG
BSP296L6327
BSP296L6327XT
BSP296L6327INCT-NDR
BSP296L6327INDKR
BSP296L6327INDKR-DG
BSP296L6327T
2156-BSP296L6327HTSA1-ITTR
SP000089209
BSP296E6327T
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
PMT560ENEAX
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
2788
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단가
0.08
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단가
0.31
대체 유형
Direct
부품 번호
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제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
4126
부품 번호
ZVN4310GTA-DG
단가
0.55
대체 유형
MFR Recommended
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