제조업체 제품 번호:
BSP297L6327HTSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSP297L6327HTSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
상세 설명:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
재고:
12832483
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSP297L6327HTSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
660mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.8V @ 400µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
357 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT223-4-21
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSP297L6327INDKR
BSP297L6327HTSA1CT
BSP297L6327HTSA1DKR
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INDKR-DG
BSP297L6327XT
BSP297L6327INCT-DG
BSP297L6327INTR-DG
BSP297 L6327-DG
BSP297L6327HTSA1TR
BSP297L6327
BSP297L6327INTR
SP000089213
2156-BSP297L6327HTSA1-ITTR
IFEINFBSP297L6327HTSA1
BSP297 L6327
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSP297H6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7629
부품 번호
BSP297H6327XTSA1-DG
단가
0.30
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
STN4NF20L
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
7369
부품 번호
STN4NF20L-DG
단가
0.21
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
PH4030AL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
ATP206-TL-H
MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
