BSP298L6327HUSA1
제조업체 제품 번호:

BSP298L6327HUSA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSP298L6327HUSA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
상세 설명:
N-Channel 400 V 500mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

재고:

12850848
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

BSP298L6327HUSA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
400 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
500mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT223-4-21
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSP298 L6327-DG
SP000088258
BSP298 L6327
INFINFBSP298L6327HUSA1
2156-BSP298L6327HUSA1-ITTR
BSP298L6327HUSA1TR
BSP298L6327XT
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STN3N40K3
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
65269
부품 번호
STN3N40K3-DG
단가
0.25
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
onsemi

FDS6614A

MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

onsemi

HUFA75337S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDB3632-F085

MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB

infineon-technologies

BSP299 E6327

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4