제조업체 제품 번호:
BSS315PH6327XTSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSS315PH6327XTSA1-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
상세 설명:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
재고:
11540 새로운 원본 재고 있음
12829585
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSS315PH6327XTSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 11µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.3 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
282 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT23
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
BSS315
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSS315PH6327XTSA1TR
BSS315PH6327XTSA1DKR
BSS315P H6327DKR
BSS315P H6327TR-DG
BSS315PH6327
2156-BSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327CT-DG
ROCINFBSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327
BSS315P H6327-DG
BSS315P H6327DKR-DG
BSS315P H6327CT
BSS315PH6327XTSA1CT
SP000928946
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
BUK7528-100A,127
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
PMPB100ENEX
MOSFET DFN2020MD-6
BUK663R7-75C,118
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
