BSZ036NE2LSATMA1
제조업체 제품 번호:

BSZ036NE2LSATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSZ036NE2LSATMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
상세 설명:
N-Channel 25 V 16A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

재고:

73837 새로운 원본 재고 있음
12799597
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

BSZ036NE2LSATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
16A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 12 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TSDSON-8-FL
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
BSZ036

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSZ036NE2LSCT-DG
BSZ036NE2LSATMA1DKR
BSZ036NE2LSDKR
BSZ036NE2LS
BSZ036NE2LSATMA1TR
BSZ036NE2LSTR-DG
BSZ036NE2LSATMA1CT
SP000854572
BSZ036NE2LSDKR-DG
BSZ036NE2LS-DG
BSZ036NE2LSCT
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
infineon-technologies

BSC034N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON

microchip-technology

MIC94050BM4 TR

MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143

infineon-technologies

BSZ0589NSATMA1

MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON

infineon-technologies

BSC100N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSON