BSZ067N06LS3GATMA1
제조업체 제품 번호:

BSZ067N06LS3GATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSZ067N06LS3GATMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
상세 설명:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

재고:

15945 새로운 원본 재고 있음
12840354
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

BSZ067N06LS3GATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14A (Ta), 20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 35µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5100 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
BSZ067

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSZ067N06LS3G
BSZ067N06LS3GINCT-DG
SP000451080
BSZ067N06LS3GATMA1CT
BSZ067N06LS3GATMA1DKR
BSZ067N06LS3GINTR-DG
BSZ067N06LS3GINCT
BSZ067N06LS3GATMA1TR
BSZ067N06LS3GINDKR
BSZ067N06LS3 G
BSZ067N06LS3GINDKR-DG
BSZ067N06LS3GINTR
BSZ067N06LS3GZT
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
onsemi

HUF76633S3S

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

onsemi

FDD3672

MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA

onsemi

FDMC8884

MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP

onsemi

MVB50P03HDLT4G

MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3