제조업체 제품 번호:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
상세 설명:
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
재고:
6713 새로운 원본 재고 있음
12853887
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제출
BSZ086P03NS3EGATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.1V @ 105µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
BSZ086
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSZ086P03NS3E GCT-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1DKR
BSZ086P03NS3EG
BSZ086P03NS3EGATMA1CT
BSZ086P03NS3E G-DG
SP000473016
BSZ086P03NS3E GDKR-DG
BSZ086P03NS3E G
BSZ086P03NS3E GCT
BSZ086P03NS3E GDKR
BSZ086P03NS3E GTR-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1TR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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