제조업체 제품 번호:
BSZ0901NSATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSZ0901NSATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
상세 설명:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
재고:
4045 새로운 원본 재고 있음
12855382
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSZ0901NSATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2850 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
BSZ0901
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-BSZ0901NSATMA1
BSZ0901NS
BSZ0901NSDKR-DG
BSZ0901NSDKR
BSZ0901NSTR
BSZ0901NSATMA1CT
INFINFBSZ0901NSATMA1
SP000854570
BSZ0901NSATMA1DKR
BSZ0901NSTR-DG
BSZ0901NSATMA1TR
BSZ0901NSCT
BSZ0901NSCT-DG
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
NDS331N_D87Z
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
SPI12N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
