제조업체 제품 번호:
BSZ120P03NS3EGATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSZ120P03NS3EGATMA1-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
상세 설명:
P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
재고:
12850002
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제출
BSZ120P03NS3EGATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.1V @ 73µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3360 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSZ120P03NS3EGATMA1TR
BSZ120P03NS3E G-DG
2156-BSZ120P03NS3EGATMA1
IFEINFBSZ120P03NS3EGATMA1
BSZ120P03NS3E G
SP000709730
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI7121ADN-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
9953
부품 번호
SI7121ADN-T1-GE3-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BSZ120P03NS3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
19982
부품 번호
BSZ120P03NS3GATMA1-DG
단가
0.26
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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