제조업체 제품 번호:
BUZ30AHXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BUZ30AHXKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
재고:
12800323
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BUZ30AHXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
21A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BUZ30A H-DG
IFEINFBUZ30AHXKSA1
SP000682990
BUZ30AH
BUZ30A H
2156-BUZ30AHXKSA1
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PHP20NQ20T,127
제조사
NXP Semiconductors
구매 가능 수량
8796
부품 번호
PHP20NQ20T,127-DG
단가
1.02
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
BSO201SPHXUMA1
MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
BSF045N03MQ3 G
MOSFET N-CH 30V 18A/63A 2WDSON