제조업체 제품 번호:
BUZ31HXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BUZ31HXKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
재고:
12802949
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제출
BUZ31HXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
95W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000682992
BUZ31H
2156-BUZ31HXKSA1-IT
INFINFBUZ31HXKSA1
BUZ31 H-DG
BUZ31 H
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF200B211
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4746
부품 번호
IRF200B211-DG
단가
0.51
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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