BUZ73AE3046XK
제조업체 제품 번호:

BUZ73AE3046XK

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BUZ73AE3046XK-DG

설명:

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

재고:

12801267
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제출

BUZ73AE3046XK 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
40W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
BUZ73

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BUZ73A E3046-DG
BUZ73A E3046
BUZ73AE3046X
2156-BUZ73AE3046XK-IT
SP000011962
IFEINFBUZ73AE3046XK
표준 패키지
500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRF630
제조사
Harris Corporation
구매 가능 수량
11535
부품 번호
IRF630-DG
단가
0.80
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF630PBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
5461
부품 번호
IRF630PBF-DG
단가
0.51
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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