제조업체 제품 번호:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1-DG
설명:
SIC 2N-CH 1200V 200A
상세 설명:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Chassis Mount
재고:
12822931
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제출
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolSiC™+
제품 상태
Obsolete
기술
Silicon Carbide (SiC)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.55V @ 80mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
496nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
14700pF @ 800V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
기본 제품 번호
FF6MR12
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
448-FF6MR12W2M1PB11BPSA1
SP004134434
표준 패키지
18
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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