제조업체 제품 번호:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IAUC120N06S5N017ATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
상세 설명:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43
재고:
8458 새로운 원본 재고 있음
12978487
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제출
IAUC120N06S5N017ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.4V @ 94µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
95.9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6952 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
167W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-43
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
IAUC120
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1DKR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1CT
SP003244386
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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