IAUCN04S7N004ATMA1
제조업체 제품 번호:

IAUCN04S7N004ATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IAUCN04S7N004ATMA1-DG

설명:

MOSFET_(20V 40V)
상세 설명:
N-Channel 40 V 175A 219W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53

재고:

1899 새로운 원본 재고 있음
13005801
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제출

IAUCN04S7N004ATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™ 7
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
175A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
7V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
0.44mOhm @ 88A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 130µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
11310 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
219W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-53
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
448-IAUCN04S7N004ATMA1DKR
448-IAUCN04S7N004ATMA1CT
SP005402881
448-IAUCN04S7N004ATMA1TR
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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