IAUTN12S5N018GATMA1
제조업체 제품 번호:

IAUTN12S5N018GATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IAUTN12S5N018GATMA1-DG

설명:

MOSFET_(120V 300V)
상세 설명:
N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOG-8-1

재고:

1764 새로운 원본 재고 있음
12991539
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IAUTN12S5N018GATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™5
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
120 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
-
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
-
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
-
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-HSOG-8-1
패키지 / 케이스
8-PowerSMD, Gull Wing

추가 정보

다른 이름들
448-IAUTN12S5N018GATMA1CT
SP005629905
448-IAUTN12S5N018GATMA1TR
448-IAUTN12S5N018GATMA1DKR
표준 패키지
1,800

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
micro-commercial-components

MSJPF20N65A-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-220F

infineon-technologies

IPF010N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V