제조업체 제품 번호:
IMDQ75R140M1HXUMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IMDQ75R140M1HXUMA1-DG
설명:
SILICON CARBIDE MOSFET
상세 설명:
N-Channel 750 V 17A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
재고:
13269122
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제출
IMDQ75R140M1HXUMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
CoolSiC™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압(Vdss)
750 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
17A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V, 20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
129mOhm @ 4.7A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.6V @ 1.7mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+23V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
351 pF @ 500 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
100W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-HDSOP-22-1
패키지 / 케이스
22-PowerBSOP Module
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
448-IMDQ75R140M1HXUMA1CT
448-IMDQ75R140M1HXUMA1DKR
SP005588271
448-IMDQ75R140M1HXUMA1TR
표준 패키지
750
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
DIGI 인증
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