제조업체 제품 번호:
IMYH200R100M1HXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IMYH200R100M1HXKSA1-DG
설명:
SIC DISCRETE
상세 설명:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
재고:
13002564
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제출
IMYH200R100M1HXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolSiC™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압(Vdss)
2000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
26A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V, 18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
131mOhm @ 10A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.5V @ 6mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+20V, -7V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
217W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-4-U04
패키지 / 케이스
TO-247-4
기본 제품 번호
IMYH200
추가 정보
다른 이름들
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1
표준 패키지
240
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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