제조업체 제품 번호:
IMZA120R014M1HXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IMZA120R014M1HXKSA1-DG
설명:
SIC DISCRETE
상세 설명:
N-Channel 1200 V 127A (Tc) 455W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
재고:
1 새로운 원본 재고 있음
12998333
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제출
IMZA120R014M1HXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolSiC™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
127A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V, 18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.2V @ 23.4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
110 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+20V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4580 nF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
455W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-4-8
패키지 / 케이스
TO-247-4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP005425977
448-IMZA120R014M1HXKSA1
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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