제조업체 제품 번호:
IPB022N04LGATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB022N04LGATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
12800661
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제출
IPB022N04LGATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
90A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 95µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
13000 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
167W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB022N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB022N04LGATMA1DKR
IPB022N04L G-DG
SP000391497
IPB022N04L GDKR-DG
IPB022N04LG
IPB022N04L GCT-DG
IPB022N04LGATMA1CT
2156-IPB022N04LGATMA1-ITTR
IFEINFIPB022N04LGATMA1
IPB022N04L GTR-DG
IPB022N04L GDKR
IPB022N04L GCT
IPB022N04L G
IPB022N04LGATMA1TR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN1R1-40BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
3918
부품 번호
PSMN1R1-40BS,118-DG
단가
1.44
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BUK661R9-40C,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
1380
부품 번호
BUK661R9-40C,118-DG
단가
1.47
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB270N4F3
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3013
부품 번호
STB270N4F3-DG
단가
2.04
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
AUIRF2804STRL
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
600
부품 번호
AUIRF2804STRL-DG
단가
2.36
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN2R2-40BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
0
부품 번호
PSMN2R2-40BS,118-DG
단가
1.22
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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