제조업체 제품 번호:
IPB096N03LGATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB096N03LGATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
12801072
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제출
IPB096N03LGATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1600 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
42W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB096N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB096N03LGINCT-DG
IPB096N03LGATMA1CT
IPB096N03LGINDKR-DG
IPB096N03LGINTR-DG
IPB096N03LG
2156-IPB096N03LGATMA1-ITTR-DG
IPB096N03LGATMA1TR
IPB096N03LGXT
IPB096N03LGATMA1DKR
IPB096N03LGINTR
2156-IPB096N03LGATMA1
IPB096N03L G
IPB096N03LGINCT
IFEINFIPB096N03LGATMA1
IPB096N03LGINDKR
SP000254711
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
9945
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118-DG
단가
0.58
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN017-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
1868
부품 번호
PSMN017-30BL,118-DG
단가
0.37
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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