제조업체 제품 번호:
IPB120N04S4L02ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
994 새로운 원본 재고 있음
12803367
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제출
IPB120N04S4L02ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 110µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
14560 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
158W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB120
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-IPB120N04S4L02ATMA1
INFINFIPB120N04S4L02ATMA1
SP000979924
448-IPB120N04S4L02ATMA1DKR
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
448-IPB120N04S4L02ATMA1TR
448-IPB120N04S4L02ATMA1CT
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN1R1-40BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
3918
부품 번호
PSMN1R1-40BS,118-DG
단가
1.44
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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