IPB180P04P403ATMA1
제조업체 제품 번호:

IPB180P04P403ATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPB180P04P403ATMA1-DG

설명:

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
상세 설명:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

재고:

12801781
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제출

IPB180P04P403ATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 410µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
17640 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-7-3
패키지 / 케이스
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
기본 제품 번호
IPB180

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP000840202
448-IPB180P04P403ATMA1TR
IPB180P04P403ATMA1-DG
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPB180P04P403ATMA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1836
부품 번호
IPB180P04P403ATMA2-DG
단가
1.72
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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