제조업체 제품 번호:
IPB180P04P4L02ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB180P04P4L02ATMA1-DG
설명:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
상세 설명:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
재고:
12801245
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPB180P04P4L02ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 410µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
286 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
18700 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-7-3
패키지 / 케이스
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
기본 제품 번호
IPB180
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB180P04P4L02ATMA1DKR
IPB180P04P4L02ATMA1TR
SP000709460
IPB180P04P4L02ATMA1CT
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPB180P04P4L02ATMA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4559
부품 번호
IPB180P04P4L02ATMA2-DG
단가
1.74
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRFR3706
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IPD65R660CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
