제조업체 제품 번호:
IPB180P04P4L02AUMA2
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB180P04P4L02AUMA2-DG
설명:
MOSFET
상세 설명:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
재고:
13004418
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제출
IPB180P04P4L02AUMA2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS®-P2
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 410µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
286 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+5V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
18700 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-7-3
패키지 / 케이스
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
기본 제품 번호
IPB180
추가 정보
다른 이름들
SP005340674
448-IPB180P04P4L02AUMA2
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
OBSOLETE
대체 모델
부품 번호
IPB180P04P4L02ATMA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4559
부품 번호
IPB180P04P4L02ATMA2-DG
단가
1.74
대체 유형
MFR Recommended
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