제조업체 제품 번호:
IPB60R099C6ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB60R099C6ATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
2845 새로운 원본 재고 있음
12804845
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제출
IPB60R099C6ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
CoolMOS™ C6
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
37.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1.21mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
119 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2660 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
278W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB60R099
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB60R099C6
IPB60R099C6ATMA1DKR
IPB60R099C6DKR-DG
IPB60R099C6CT-DG
IPB60R099C6TR-DG
2156-IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1TR
IPB60R099C6-DG
IPB60R099C6CT
INFINFIPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1CT
IPB60R099C6DKR
SP000687468
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB34NM60ND
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STB34NM60ND-DG
단가
5.89
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB26NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2127
부품 번호
STB26NM60N-DG
단가
3.29
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB34N65M5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STB34N65M5-DG
단가
2.85
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB34NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STB34NM60N-DG
단가
5.29
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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