제조업체 제품 번호:
IPB60R125CPATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB60R125CPATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
재고:
1762 새로운 원본 재고 있음
12800956
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제출
IPB60R125CPATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
CoolMOS™ CP
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1.1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
208W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB60R125
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB60R125CPTR-DG
IPB60R125CPCT
IPB60R125CPDKR
IPB60R125CPATMA1TR
IPB60R125CPATMA1DKR
IPB60R125CPDKR-DG
IPB60R125CP
IPB60R125CPTR
SP000297368
IPB60R125CPATMA1CT
2156-IPB60R125CPATMA1-448
IPB60R125CP-DG
IPB60R125CPCT-DG
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB26NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2127
부품 번호
STB26NM60N-DG
단가
3.29
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STW32NM50N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STW32NM50N-DG
단가
3.12
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB32N65M5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1000
부품 번호
STB32N65M5-DG
단가
5.37
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB33N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STB33N60M2-DG
단가
2.00
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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