제조업체 제품 번호:
IPB60R380C6ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB60R380C6ATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
12847960
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제출
IPB60R380C6ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
CoolMOS™ C6
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 320µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
700 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB60R380
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB60R380C6DKR-DG
IPB60R380C6ATMA1TR
IPB60R380C6CT
IPB60R380C6CT-DG
IPB60R380C6
IPB60R380C6TR-DG
IPB60R380C6ATMA1DKR
IPB60R380C6-DG
2156-IPB60R380C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1CT
ROCINFIPB60R380C6ATMA1
SP000660634
IPB60R380C6DKR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK14G65W5,RQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
TK14G65W5,RQ-DG
단가
1.19
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
R6011ENJTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
R6011ENJTL-DG
단가
1.56
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB13NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1000
부품 번호
STB13NM60N-DG
단가
2.21
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB13N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2210
부품 번호
STB13N60M2-DG
단가
0.86
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
R6011KNJTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
R6011KNJTL-DG
단가
0.87
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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