제조업체 제품 번호:
IPB80N08S2L07ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB80N08S2L07ATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
상세 설명:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
재고:
691 새로운 원본 재고 있음
12803581
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제출
IPB80N08S2L07ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
75 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5400 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
300W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB80N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB80N08S2L07ATMA1CT
2156-IPB80N08S2L07ATMA1TR
IPB80N08S2L07
IPB80N08S2L-07DKR
IPB80N08S2L-07CT
IPB80N08S2L-07CT-DG
IPB80N08S2L-07TR-DG
IPB80N08S2L-07-DG
IPB80N08S2L-07
SP000219051
IPB80N08S2L-07DKR-DG
IPB80N08S2L07ATMA1DKR
IPB80N08S2L07ATMA1TR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFS3307ZTRRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
768
부품 번호
IRFS3307ZTRRPBF-DG
단가
1.22
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN6R5-80BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
4297
부품 번호
PSMN6R5-80BS,118-DG
단가
0.95
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB140NF75T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1648
부품 번호
STB140NF75T4-DG
단가
1.68
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFS3607TRLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
24577
부품 번호
IRFS3607TRLPBF-DG
단가
0.56
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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