제조업체 제품 번호:
IPD031N06L3GATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPD031N06L3GATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
재고:
71024 새로운 원본 재고 있음
12803042
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPD031N06L3GATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 93µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
167W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD031
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPD031N06L3G
IPD031N06L3 GTR-DG
IPD031N06L3 GDKR
IPD031N06L3 G-DG
IPD031N06L3GATMA1TR
IPD031N06L3 GCT-DG
IPD031N06L3 G
IPD031N06L3GATMA1DKR
IPD031N06L3GATMA1CT
SP000451076
IPD031N06L3 GCT
IPD031N06L3 GDKR-DG
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IPD65R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
