IPD15N06S2L64ATMA1
제조업체 제품 번호:

IPD15N06S2L64ATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPD15N06S2L64ATMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
상세 설명:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

재고:

12800397
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IPD15N06S2L64ATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
64mOhm @ 13A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 14µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
354 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
47W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3-11
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD15N

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
INFINFIPD15N06S2L64ATMA1
IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-DG
IPD15N06S2L64ATMA1TR
SP000252162
2156-IPD15N06S2L64ATMA1
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPD15N06S2L64ATMA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4268
부품 번호
IPD15N06S2L64ATMA2-DG
단가
0.27
대체 유형
Direct
부품 번호
PJD11N06A-AU_L2_000A1
제조사
Panjit International Inc.
구매 가능 수량
2980
부품 번호
PJD11N06A-AU_L2_000A1-DG
단가
0.13
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD16NF06LT4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
6434
부품 번호
STD16NF06LT4-DG
단가
0.42
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMNH6042SK3Q-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
2143
부품 번호
DMNH6042SK3Q-13-DG
단가
0.27
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
infineon-technologies

IPB031N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

infineon-technologies

IPB80N06S2L-H5

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPB50R299CPATMA1

MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3

infineon-technologies

IPD90N06S4L03ATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3