IPD19DP10NMATMA1
제조업체 제품 번호:

IPD19DP10NMATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPD19DP10NMATMA1-DG

설명:

TRENCH >=100V PG-TO252-3
상세 설명:
P-Channel 100 V 2.6A (Ta), 13.7A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

재고:

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제출

IPD19DP10NMATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
186mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1.04mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2000 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD19D

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP005343854
448-IPD19DP10NMATMA1TR
448-IPD19DP10NMATMA1DKR
448-IPD19DP10NMATMA1CT
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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