IPD50R1K4CEBTMA1
제조업체 제품 번호:

IPD50R1K4CEBTMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPD50R1K4CEBTMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
상세 설명:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

재고:

12800606
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제출

IPD50R1K4CEBTMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™ CE
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
13V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 70µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
178 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
25W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD50R

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CETR
IPD50R1K4CETR-DG
IPD50R1K4CECT-DG
IPD50R1K4CEDKR-DG
IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CEBTMA1DKR
INFINFIPD50R1K4CEBTMA1
IPD50R1K4CEDKR
2156-IPD50R1K4CEBTMA1-ITTR
IPD50R1K4CEBTMA1TR
SP000992072
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
RJK5033DPD-00#J2
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
6000
부품 번호
RJK5033DPD-00#J2-DG
단가
0.88
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPD60R1K4C6ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
19965
부품 번호
IPD60R1K4C6ATMA1-DG
단가
0.31
대체 유형
Direct
부품 번호
IPD50R1K4CEAUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4935
부품 번호
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
단가
0.17
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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