IPD65R1K5CEAUMA1
제조업체 제품 번호:

IPD65R1K5CEAUMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPD65R1K5CEAUMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
상세 설명:
N-Channel 700 V 5.2A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

재고:

12801101
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제출

IPD65R1K5CEAUMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
225 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
53W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD65R1

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP001422862
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STD5N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2500
부품 번호
STD5N60M2-DG
단가
0.64
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FCD850N80Z
제조사
onsemi
구매 가능 수량
15910
부품 번호
FCD850N80Z-DG
단가
0.96
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPD70R1K4P7SAUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
20689
부품 번호
IPD70R1K4P7SAUMA1-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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