제조업체 제품 번호:
IPD80R2K8CEBTMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPD80R2K8CEBTMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
상세 설명:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
재고:
12800117
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제출
IPD80R2K8CEBTMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.9V @ 120µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
42W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3-11
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD80R
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPD80R2K8CEBTMA1TR
IPD80R2K8CEBTMA1DKR
SP001100602
IPD80R2K8CEBTMA1CT
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD80R2K8CEATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4870
부품 번호
IPD80R2K8CEATMA1-DG
단가
0.36
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
STD3N80K5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
4899
부품 번호
STD3N80K5-DG
단가
0.53
대체 유형
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