IPG16N10S4L61AATMA1
제조업체 제품 번호:

IPG16N10S4L61AATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPG16N10S4L61AATMA1-DG

설명:

MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
상세 설명:
Mosfet Array 100V 16A 29W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10

재고:

13011 새로운 원본 재고 있음
13064019
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제출

IPG16N10S4L61AATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
생산자
Infineon Technologies
시리즈
OptiMOS™
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
16A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
61mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 90µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
845pF @ 25V
전력 - 최대
29W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-10
기본 제품 번호
IPG16N10

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
IPG16N10S4L61AATMA1-ND
2156-IPG16N10S4L61AATMA1
448-IPG16N10S4L61AATMA1CT
448-IPG16N10S4L61AATMA1TR
SP001102932
448-IPG16N10S4L61AATMA1DKR
INFINFIPG16N10S4L61AATMA1
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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