제조업체 제품 번호:
IPG20N06S4L11AATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPG20N06S4L11AATMA1-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
상세 설명:
Mosfet Array 60V 20A 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
재고:
2920 새로운 원본 재고 있음
12800567
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제출
IPG20N06S4L11AATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 28µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
53nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4020pF @ 25V
전력 - 최대
65W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-10
기본 제품 번호
IPG20N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
448-IPG20N06S4L11AATMA1TR
IPG20N06S4L11AATMA1-DG
448-IPG20N06S4L11AATMA1DKR
SP001200162
448-IPG20N06S4L11AATMA1CT
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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