제조업체 제품 번호:
IPI084N06L3GXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPI084N06L3GXKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
재고:
12803247
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPI084N06L3GXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 34µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4900 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
79W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
기본 제품 번호
IPI084N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001065242
2156-IPI084N06L3GXKSA1
IFEINFIPI084N06L3GXKSA1
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IPC302N08N3X1SA1
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPC65R070C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE