IPL60R299CPAUMA1
제조업체 제품 번호:

IPL60R299CPAUMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPL60R299CPAUMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
상세 설명:
N-Channel 600 V 11.1A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

재고:

12803571
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제출

IPL60R299CPAUMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
CoolMOS™ CP
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11.1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 440µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
96W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-VSON-4
패키지 / 케이스
4-PowerTSFN
기본 제품 번호
IPL60R299

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
IPL60R299CPAUMA1CT
IPL60R299CP
IPL60R299CP-DG
2156-IPL60R299CPAUMA1
IPL60R299CPAUMA1DKR
SP000841896
IPL60R299CPCT
IPL60R299CPDKR
IPL60R299CPTR-DG
IPL60R299CPCT-DG
IPL60R299CPAUMA1TR
IPL60R299CPDKR-DG
INFINFIPL60R299CPAUMA1
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
2A (4 Weeks)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FCMT299N60
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2390
부품 번호
FCMT299N60-DG
단가
1.85
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPL60R285P7AUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPL60R285P7AUMA1-DG
단가
0.96
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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