제조업체 제품 번호:
IPP014N06NF2SAKMA2
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPP014N06NF2SAKMA2-DG
설명:
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 198A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
재고:
289 새로운 원본 재고 있음
13001125
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPP014N06NF2SAKMA2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
StrongIRFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
39A (Ta), 198A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.3V @ 246µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
13800 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3-U05
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP005742469
448-IPP014N06NF2SAKMA2
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
R6020YNZ4C13
NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
RQ6P020ATTCR
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
RX3P12BATC16
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
