제조업체 제품 번호:
IPP029N06NAKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPP029N06NAKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
재고:
12850782
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제출
IPP029N06NAKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.8V @ 75µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4100 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IPP029
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPP029N06N-DG
448-IPP029N06NAKSA1
IPP029N06N
SP000917404
IPP029N06NAKSA1-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
AOT266L
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
758
부품 번호
AOT266L-DG
단가
0.90
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFB3206PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
25755
부품 번호
IRFB3206PBF-DG
단가
0.88
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN3R0-60PS,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
4251
부품 번호
PSMN3R0-60PS,127-DG
단가
1.62
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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