IPP22N03S4L15AKSA1
제조업체 제품 번호:

IPP22N03S4L15AKSA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPP22N03S4L15AKSA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 30 V 22A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

재고:

12857990
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IPP22N03S4L15AKSA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 10µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
980 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
31W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IPP22N

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
IPP22N03S4L-15
IPP22N03S4L-15-DG
SP000275290
표준 패키지
500

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRF830APBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
5605
부품 번호
IRF830APBF-DG
단가
0.59
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN022-30PL,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
8226
부품 번호
PSMN022-30PL,127-DG
단가
0.58
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPP80N04S4L04AKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPP80N04S4L04AKSA1-DG
단가
1.22
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFBC30APBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
1483
부품 번호
IRFBC30APBF-DG
단가
1.19
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
renesas-electronics-america

2SJ624-T1B-AT

MOSFET P-CH 20V SC-96 SOT-23

vishay-siliconix

IRF720SPBF

MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

onsemi

NVD5C464NT4G

MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK

onsemi

NTD95N02R

MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK