제조업체 제품 번호:
IPP50R190CEXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPP50R190CEXKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
재고:
13064156
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPP50R190CEXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™ CE
포장
Tube
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
13V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 510µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1137 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
127W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
IPP50R190
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPP50R190CE-ND
-IPP50R190CE
SP000850802
IPP50R190CE
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IRLI520NPBF
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
IRFZ48ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
IRF7321D2
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
