제조업체 제품 번호:
IPS60R600PFD7SAKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPS60R600PFD7SAKMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
재고:
21 새로운 원본 재고 있음
12810886
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제출
IPS60R600PFD7SAKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™PFD7
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 80µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
344 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
31W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IPS60R600
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP004748880
448-IPS60R600PFD7SAKMA1
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPU80R600P7AKMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1476
부품 번호
IPU80R600P7AKMA1-DG
단가
0.61
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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