제조업체 제품 번호:
IPS70R950CEAKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPS70R950CEAKMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
상세 설명:
N-Channel 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
재고:
12806036
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제출
IPS70R950CEAKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
68W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3-11
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak
기본 제품 번호
IPS70R950
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-IPS70R950CEAKMA1
ROCINFIPS70R950CEAKMA1
SP001467044
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPS70R900P7SAKMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
821
부품 번호
IPS70R900P7SAKMA1-DG
단가
0.22
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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