제조업체 제품 번호:
IPS80R600P7AKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPS80R600P7AKMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
상세 설명:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
재고:
12803262
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제출
IPS80R600P7AKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™ P7
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 170µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
570 pF @ 500 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
60W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3-342
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak
기본 제품 번호
IPS80R600
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001644630
IFEINFIPS80R600P7AKMA1
2156-IPS80R600P7AKMA1
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SIHU7N60E-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
SIHU7N60E-E3-DG
단가
0.82
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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