제조업체 제품 번호:
IPSA70R600P7SAKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
상세 설명:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43.1W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
재고:
13064124
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPSA70R600P7SAKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™ P7
포장
Tube
부품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 90µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10.5 nC @ 400 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
364 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
43.1W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IPSA70
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001664806
IPSA70R600P7S
IFEINFIPSA70R600P7SAKMA1
2156-IPSA70R600P7SAKMA1
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPS70R600P7SAKMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
177
부품 번호
IPS70R600P7SAKMA1-DG
단가
0.27
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRF1324SPBF
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
IRF7799L2TRPBF
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
IRF7413ZPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
