IPT008N06NM5LFATMA1
제조업체 제품 번호:

IPT008N06NM5LFATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPT008N06NM5LFATMA1-DG

설명:

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
상세 설명:
N-Channel 60 V 454A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

재고:

12969002
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IPT008N06NM5LFATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
454A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
0.8mOhm @ 150A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.6V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
980 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
278W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-HSOF-8
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
기본 제품 번호
IPT008N

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
448-IPT008N06NM5LFATMA1CT
448-IPT008N06NM5LFATMA1TR
IPT008N06NM5LF
448-IPT008N06NM5LFTR-DG
SP004166942
448-IPT008N06NM5LFCT-DG
448-IPT008N06NM5LFCT
448-IPT008N06NM5LFTR
448-IPT008N06NM5LFATMA1DKR
448-IPT008N06NM5LFDKR-DG
448-IPT008N06NM5LFDKR
표준 패키지
2,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
infineon-technologies

IPT039N15N5XTMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

infineon-technologies

IMT65R039M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

infineon-technologies

IMBG65R057M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

infineon-technologies

IMBG65R072M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-