제조업체 제품 번호:
IPT039N15N5ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPT039N15N5ATMA1-DG
설명:
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
상세 설명:
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
재고:
12974925
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPT039N15N5ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
150 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
8V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.6V @ 257µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7700 pF @ 75 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.8W (Ta), 319W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-HSOF-8
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
PH7730DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
NVTFWS027N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
BSS84-H
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
